產(chǎn)品介紹
名稱:Hafnium dioxide
元素含量比重:O (oxygen) 15.2%、Hf (hafnium) 84.8%
密度:9.68g/cm3
熔點(diǎn):2758℃
摩爾質(zhì)量:210.49 g/mol
CAS 號(hào): 12055-23-1
蒸發(fā)壓力:在2678℃時(shí)1Pa;在2875℃時(shí)10Pa
線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K
溶解度:不溶解于水
純度:99.99
薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15 (500nm)~2
蒸發(fā)條件:用電子***,氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃,基片溫度~250℃,蒸發(fā)速率2nm/s
應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜,干涉膜
二氧化鉿是鉿元素的一種氧化物,常溫常壓下為白色固體。白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、性涂料和催化劑。
應(yīng)用方向
二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起高度的關(guān)注,由于它可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。
貯存條件
本品應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜長久暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團(tuán)聚,影響分散性能和使用效果,另應(yīng)避免重壓,按照普通貨物運(yùn)輸。