一、適用范圍
適用于非晶硅薄膜太陽能電池的透明導電膜(SnO2、AZO、ITO)、非晶硅膜系(a-Si、μc-Si)、背電極膜(ZnO、AI)等材質(zhì)的激光刻線,及其它薄膜太陽能電池的膜層刻膜(鈣鈦礦薄膜、金屬鉬Mo薄膜、金屬鎳Ni薄膜、碲化鎘CdTe薄膜)。
二、技術(shù)特點
◆可根據(jù)不同使用場景及工藝要求配置合適的激光器
◆非接觸式氣浮工作平臺,自動進出料
◆二維分離式直線運動平臺,電池板膜面朝上運動
◆CCD自動識別與定位系統(tǒng),保證刻線(清邊)效果
◆獨特的抽塵集塵系統(tǒng),確保工作環(huán)境的潔凈度
三、技術(shù)參數(shù)
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設備型號
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SE-P(1-5)
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有效加工幅面
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1400mmx1000mm(可根據(jù)需求定制)
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***大運行速度
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2000mm/s(P1/P2/P3/P5),200mm/s(P4)
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重復定位精度
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±10μm/1000mm
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刻線直線度
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±10μm/1000mm
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***小刻膜線寬
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30~60μm
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清邊寬度
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5~20mm
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三線外沿總寬度
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300~500μm
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