一、適用范圍
適用于高校、科研單位對鈣鈦礦電池制作工藝與裝備研究。用于實驗室鈣鈦礦太陽能電池生產(chǎn)過程中的膜層刻劃或清除。
二、技術特點
◆可根據(jù)不同使用場景與工藝要求配置合適的激光器
◆二維三軸直線電機驅(qū)動,膜面朝上刻蝕加工
◆CCD視覺識別與定位,保證刻線(清邊)效果
◆可根據(jù)客戶要求進行定制化設計
三、設備技術參數(shù)
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設備型號
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SE-P(X)
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有效加工幅面
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500mm×500mm(可根據(jù)需求定制)
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***大運行速度
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2000mm/s(P1-P3),200mm/s(P4)
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重復定位精度
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±10μm/500mm
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刻線直線度
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±10μm/500mm
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刻膜線寬(P1-P3)
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30~60μm
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清邊寬度(P4)
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5~20mm
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三線外沿總寬度
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300~500μm
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激光器型號
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根據(jù)工藝需求選定
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